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基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱(chēng):

高溫壓電陶瓷鐵電測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào):HCTD-800

廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家

所在地:北京市

更新日期:2024-06-12

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

高溫壓電陶瓷鐵電測(cè)試儀,用于鐵電體的鐵電性能測(cè)量。本測(cè)試系統(tǒng)主要包括可編程信號(hào)源、微電流放大器、積分器、放大倍數(shù)可編程放大器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、微機(jī)接口部分、微機(jī)和應(yīng)用軟件等部分組成。

產(chǎn)品特性Product characteristics
品牌華測(cè)

高溫壓電陶瓷鐵電測(cè)試儀



產(chǎn)品名稱(chēng):高溫鐵電測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào):HCTD-800

品牌:北京華測(cè)



產(chǎn)品介紹

本測(cè)試儀用于鐵電體的鐵電性能測(cè)量。本測(cè)試系統(tǒng)主要包括可編程信號(hào)源、微電流放大器、積分器、放大倍數(shù)可編程放大器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、微機(jī)接口部分、微機(jī)和應(yīng)用軟件等部分組成。

本測(cè)試系統(tǒng)采用虛地模式測(cè)量電路,與傳統(tǒng)的Sawyer-Tower模式相比,此電路取消了外接電容,可減小寄生元件的影響。此電路的測(cè)試精度僅取決于積分器積分電容的精度,減少了對(duì)測(cè)試的影響環(huán)節(jié),比較容易定標(biāo)和校準(zhǔn),并且能實(shí)現(xiàn)較高的測(cè)量度,它不僅能畫(huà)出鐵電薄膜的電滯回線(xiàn),還可以定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流Ik等參數(shù),以及對(duì)鐵電薄膜材料鐵電疲勞性能、鐵電保持性能的測(cè)試。儀器采用一體化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)測(cè)試結(jié)果全數(shù)字化,操作簡(jiǎn)單方便。

鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀主要是由正弦波、三角波、間歇三角波、梯形波發(fā)生器及正、負(fù)矩形脈沖和雙極性雙脈沖發(fā)生器外加鐵電材料電滯回線(xiàn)、I-V特性及開(kāi)關(guān)特性測(cè)量電路構(gòu)成。適用于鐵電薄膜、鐵電體材料的電性能測(cè)量,可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線(xiàn)、I-V特性及開(kāi)關(guān)特性,可測(cè)出具有非對(duì)稱(chēng)電滯回線(xiàn)鐵電薄膜的Pr值??蓽y(cè)鐵電體材料的電滯回線(xiàn)及IV特性。同時(shí)也可作為一臺(tái)通用信號(hào)發(fā)生器、高壓信號(hào)發(fā)生器使用。



產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 電滯回線(xiàn)測(cè)量、鐵電材料的飽和極化±Ps、剩余極化±Pr、矯頑場(chǎng)±Ec、電容量C等參數(shù)

  • 鐵電疲勞性能測(cè)量

  • 鐵電保持性能測(cè)量

  • 電阻測(cè)量

  • 漏電流測(cè)量

  • 精度的三維移動(dòng)平臺(tái)



軟件功能

HC5000系列測(cè)試系統(tǒng)的軟件平臺(tái)hacepro,采用labview系統(tǒng)開(kāi)發(fā),符合導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料的各項(xiàng)測(cè)試需求,具備穩(wěn)定性與安全性,并具備斷電資料的保存功能,圖像資料可保存恢復(fù)。兼容,XP、win7、win10系統(tǒng)。

友善的使用界面

多語(yǔ)界面:支持中文/英文 兩種語(yǔ)言界面;

即時(shí)監(jiān)控:系統(tǒng)測(cè)試狀態(tài)即時(shí)瀏覽,無(wú)需等待;

圖例管理:通過(guò)軟件中的狀態(tài)圖示,一目了然,立即對(duì)狀態(tài)說(shuō)明,了解測(cè)試狀態(tài);

使用權(quán)限:可設(shè)定使用者的權(quán)限,方便管理;

故障狀態(tài):軟件具有設(shè)備的故障報(bào)警功能。



硬件支持

  • 集成Intel@Celeron1037U1.8GHZ雙核處理器

  • 集成打印機(jī)接口,可擴(kuò)充8個(gè)USB接口

  • 支持16G內(nèi)存,60G固體硬盤(pán),讓系統(tǒng)運(yùn)行更加流暢。


技術(shù)參數(shù)

1、電壓范圍:±30V(可擴(kuò)展至±4KV)

2、輸出電流峰值:±1A

3、大負(fù)荷電容:1μF

4、動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率:0.001Hx~100kHz

5、鐵電材料漏電流的測(cè)試:10pA~100mA

6、小脈沖寬度:25ns

7、上升時(shí)間:7ns

8、極化測(cè)試精準(zhǔn)到:10fC

9、塊體材料樣品盒可進(jìn)行室溫~1200℃電滯回線(xiàn)測(cè)定





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