產(chǎn)品型號(hào)：HCRD-2

廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家

所在地：北京市

更新日期：2024-08-30

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

一、電弱點(diǎn)測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

   電弱點(diǎn)測(cè)試儀儀器采用計(jì)算機(jī)控制，通過(guò)人機(jī)對(duì)話(huà)方式。主要用于電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測(cè)試。電氣用塑料薄膜的生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)薄膜穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚、劃傷等影響電氣性能的電弱點(diǎn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 13541-92電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)（電弱點(diǎn)）數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標(biāo)。設(shè)計(jì)的薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀，無(wú)須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試。由于薄膜在生 過(guò)程中極易引起縱向劃傷，該儀器引用“電 弱線(xiàn)"概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到的試樣漏電 流均超過(guò)1mA時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過(guò) 程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線(xiàn)"，測(cè)試儀統(tǒng) 計(jì)的電弱點(diǎn)總數(shù)為電弱點(diǎn)數(shù)與電弱線(xiàn)數(shù)之和。

二、電弱點(diǎn)測(cè)試儀主要特點(diǎn):

1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶(hù)的要求而設(shè)定，無(wú)須將膜分切成小卷，免除了許多外來(lái)因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。

2、測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平。

3、主要元器件均選用如歐姆龍，美信，ABB等，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。

4、測(cè)量，復(fù)現(xiàn)性好。

5、測(cè)試過(guò)程采用電子技術(shù)全自動(dòng)控制，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動(dòng)作迅速。

6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。

7、多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。

8、過(guò)壓、過(guò)流、接地保護(hù)，試驗(yàn)平臺(tái)門(mén)開(kāi)啟保護(hù)。

五、儀器參數(shù)

1、TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：

   采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于電弧放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)。

2、低通濾波電流監(jiān)測(cè)技術(shù):

   高壓壓放電過(guò)程中將產(chǎn)生高頻信號(hào)。而采集過(guò)程中無(wú)法將高頻信號(hào)處理時(shí)，從而造成檢測(cè)不。無(wú)論是采用磁通門(mén)或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在材料產(chǎn)生弱點(diǎn)后后瞬間輸出電壓或電流信號(hào)過(guò)大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測(cè)開(kāi)發(fā)的電流采集傳感器將高頻雜波信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。

3、雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)：

   采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電弱點(diǎn)儀器，此儀器不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng)，它雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷高壓，對(duì)控制系統(tǒng)防護(hù)。

電弱點(diǎn)測(cè)試儀器

電弱點(diǎn)測(cè)試儀器